美國股市周二(9月11日)雖大致走強(qiáng)，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)卻逆勢走弱，存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體設(shè)備類股下挫，托累了費(fèi)半走勢。

　　MarketWatch、Benzinga、StreetInsider.com報(bào)導(dǎo)，RBC分析師Amit Daryanani以NAND型快閃存儲(chǔ)器市況意外疲軟為由，將美光(Micron Technology Inc.)目標(biāo)價(jià)從83美元下修至70美元。他也將硬盤機(jī)制造巨擘Western Digital Corporation (WD)的投資評(píng)等從「表現(xiàn)優(yōu)于大盤」調(diào)降至「表現(xiàn)與大盤一致」。NAND主要應(yīng)用于USB硬盤及體積較小的裝置。

       Daryanani指出，存儲(chǔ)器景氣循環(huán)面臨逆風(fēng)，預(yù)估美光2019會(huì)計(jì)年度的毛利率，將因NAND、DRAM均價(jià)受挫而萎縮約200個(gè)基點(diǎn)。他并預(yù)測，由于三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)增產(chǎn)的影響，預(yù)估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚(yáng)20%、20-25%。

　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股美光11日聞?dòng)嵪麓?.9%、收43.60美元，創(chuàng)2月15日來收盤低；目前已較5月底的波段高點(diǎn)(64.66美元)下挫32.6%。

　　WD 11日同步重挫3.63%、收54.98美元，創(chuàng)2016年10月25日以來收盤低；目前已較3月中的波段高點(diǎn)(106.96美元)下挫48.6%。

　　半導(dǎo)體蝕刻機(jī)臺(tái)制造商科林研發(fā)公司(Lam Research Corp.)11日也下挫2.55%、收155.40美元，創(chuàng)2017年8月11日收盤低。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials, Inc.)下挫1.06%、收39.18美元，創(chuàng)2017年4月18日收盤低。以上兩檔都是費(fèi)半成分股。

　　晶圓檢測設(shè)備制造商科磊(KLA-Tencor Corporation)才剛在上周對(duì)存儲(chǔ)器市況示警。CNBC、TheStreet.com、MarketWatch等外電報(bào)導(dǎo)，科磊財(cái)務(wù)長Bren Higgins 9月6日在花旗全球科技大會(huì)上指出，由于DRAM市況的關(guān)系，六周前該公司原本預(yù)期10-12月市況應(yīng)會(huì)大幅好轉(zhuǎn)，但如今他認(rèn)為，市況好轉(zhuǎn)幅度恐會(huì)略低于先前預(yù)估。他并表示，屆時(shí)出貨量應(yīng)會(huì)持平、或出現(xiàn)個(gè)位數(shù)的減幅，遜于原先預(yù)估的持平或個(gè)位數(shù)增幅。

　　大摩分析師Shawn Kim 9月6日則指出，存儲(chǔ)器市況近幾周來有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型快閃存儲(chǔ)器的供給則委實(shí)太多。另外，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子、SK海力士的庫存也愈堆愈多。